Показать сообщение отдельно
Старый 23.03.2009, 08:58   #12
Anitsirk
Пользователь
 
Регистрация: 23.06.2008
Сообщений: 19
Поблагодарил: 9
Поблагодарили 3 раз за 3 сообщений
Репа: 0
Цитата:
Сообщение от АлександрII Посмотреть сообщение
У тебя зона пересчитана со своего-родного,а он уже был с перезагрузом адрес в скате и будет сходиться,а вот проливать зону будешь своим кривым бинарным файлом,потому и не включается,возьми нормальный фулл без перезагруза-залей-передерни АКБ-слей,в разнице между фуллами выделится 116 байт-получишь нормальную зону
Перед тем как сливать не вздумай включать (Телеф),а то зона получится уже не 116
Значит так. С каждым фуллом я делал именно так. Для каждого делал свою зону безопасности. Два с указанной страницы и один с темы о N99i.Единственное не передёргивал аккумулятор при сливании.Вчера передёрнул. Зоны безопасности делал по видеомануалу.Ошибки быть не должно.Самое главное что тело подаёт признаки жизни только после манипуляций с родным фулом.Поэтому и появилось сомнение что они не подходят. Когда я прошивал МП4 плеер, тоже "китаец" , то при поиске прошивки учитываются проц, маркировка платы,и маркировка дисплея. Может и здесь такая же метода поиска?Спайдера установил спасибо .Попробую им. И ещё вопрос Компаратором можно сравнивать фулы. Будут ли они одинаковы, слитые с двух идентичных тел?[/QUOTE]

проц, маркировка платы,и маркировка дисплея конечно учитываются,компаратор будет показывать все различия и по каким адресам,а вот АКБ надо передяргивать после каждой манипуляции,чтобы обресетить,т,е слил-передернул,залил-передернул-не важно-зону заливаешь или целый фулл
Попадались например 2 тел-одинаковые,фуллы тоже,но не работали,меняя фуллы местами-пока не сделал формат,потому я тебе и выложил выше фулл с форматом с той страницы,потому как калибровки прописанные в область NVRAM могут быть разные,а это и есть то место несовпадений-с E00000
Тебе надо учесть все мелочи,порядок и все получится
Попробуй залей спайдером тот фулл с форматом выложенный выше


Энергонезависимая память (англ. NVRAM, от Non Volatile Random Access Memory) — перезаписываемая или оперативная память в электронном устройстве, сохраняющая своё содержимое вне зависимости от подачи основного питания на устройство.

Последний раз редактировалось Anitsirk; 23.03.2009 в 09:26.
Anitsirk вне форума   Ответить с цитированием Вверх